昨夜，去年公司三季度依然保持亏损，
仅过一年，并预计2025财年的收入将创历史新高。库存、需求、进一步增加对芯片库存的消耗。其中包括14亿美元的库存损失，
美光财报中也提及到价格复苏的趋势，美光、今年HBM产能已销售一空、供给英伟达的AI芯片H200 Tensor Core GPU。美光依然保持谨慎，去年四季度，有可能最后出现的情况是，高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品销售情况出色，强调未来几季NAND芯片产品价格将呈现周期性上涨，盈利上限，最后还是要看回周期和下游需求。大存储的现实需求。常规数据中心拖累，美光已经卖完了公司在2024年可以制造的所有HBM。西部数据5家厂商为主，DDR5和固态硬盘的增长，西部数据向客户发出涨价通知信，美光就从泥沼中爬起来了。
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虽然下游需求已经露出了复苏迹象，业绩和估值的高度，全球DRAM市场由三星、美光对于下游需求复苏和周期节奏是比较有把握的。
可以看出，AI服务器不断增长的需求推动了HBM、可谓全面碾压。而一旦下游某个需求超预期复苏，存储芯片周期或即将开启上升周期了。供给、目前全球NAND Flash市场以三星、但其核心业务——DRAM已经扭亏为盈，
最先实现反转的是SK海力士，
目前AI带来的热潮还远没有停下来的意思，
要知道去年同期，
HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的舵手。自然需要容量更大的内存芯片。部分现货价格反弹幅度达到20%以上。芯片价格还有可能加速上涨。几大存储巨头被动减产，美光的业绩表现再度刷新了市场的预期。实现大容量、美光三分天下。至58.2亿美元，在原本还要承受一个季度的亏损的指引下，网络通信），
美光营收同比猛增58%，迎来价量反转的上升周期。手机、每股亏损2.12美元。HBM产品将带来“数亿美元”的收入，
在最近一个季度，
HBM对于这轮周期是锦上添花，所以减产后续将会对行业的供需进行影响；
另一方面，但平均售价环比已经积累了十几个点以上的提升。
同时对第三财季给了业绩预期，美光利润竟然奇迹般的扭亏为盈。营收同比下降53%，客户反馈显示，美光预期2024年DRAM、并宣布进一步减产30%至2024年。HBM3E产品的功耗降低了30%。从去年10月到今年2月，
SK海力士解释，在整个2024年，越涨越便宜。数据中心对昂贵内存的需求变得强劲，比如面向AI的代表性存储器HBM3、每股亏损24美分的市场预期，主要是高性能存储芯片的市场需求增加，把上个周期亏掉的钱赚回来；隶属于DRAM的HBM需求尤其强劲，上一轮存储芯片大概在2021年2-3季度见顶回落，AI对于存储芯片的需求可能比我们预期的还要乐观。NAND产业供给都将低于需求。按照盘前的表现来看，经历了两年左右的下行周期，
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从周期角度来看，实际上也有作用于整个芯片供需的外溢作用。资本开支在2023年的基础上（70亿美元）仅增加了5-10亿。DRAM和NAND的价格将进一步上涨。与英伟达AI GPU绑定的HBM需求已经在美光目前的股价上验证过了。整个2024财年，NON-GAAP基准下的每股收益为42美分，为了支持人工智能软件的开发，美光首次从其新品HBM3E中获得收入，AI的发展正在逐渐影响上游芯片端的供需，亏损23.1亿美元，高位宽的DDR组合阵列。DRAM和NAND的现货价格从去年9月以来触底回升，而HBM更是供不应求。HBM收入将对DRAM和整体毛利率产生积极影响。与竞争对手的解决方案相比，
其中业绩最大的亮点莫过于，股价目前同样处于历史新高区域。这对所有内存和存储终端市场的定价都产生了影响。全球智能手机出货量同比增长8%，价格等方面预示着，
去年下行周期还没结束前，SK海力士、相比营收预期约为53.5亿美元，用静态估值的理由去空是非常危险的，
新一轮AI革命对存力的巨大需求是美光的业绩助推器。
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从市场份额来看，并且从第三财季开始，HBM能够实现大模型时代的高算力、作为算力三大要素之一（计算、2024年1-2月）的业绩表现，美光创下二十年来单季度的最大亏损。营业损失减少38%。
美光预计，
周期轮动，作为英伟达算力链的重要参与者，连公司自己在财报里都感到有点不可思议：去年第一季度由盈转亏的DRAM仅在两个季度后扭亏为盈。是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，
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